Beschreibung
- Verspannungstechniken zu Leistungssteigerung von SOI-CMOS-Bauelementen
Verspannungstechniken zu Leistungssteigerung von SOI-CMOS-Bauelementen
Abschlussarbeit
Überblick
Freigegeben
- Ja
Freigegeben
- Ja
Zeitraum
- 01.01.2006 - 25.10.2010
Fakultät/Einheit
Betreuer/in (HTWD)
Doktorand/in (ohne Profil)
- Flachowsky, S
Kooperierende Universität
- TU Dresden
Anderes
Kuratierungs-Zielkategorie (intern)
- Ja