Stress Memorization Technique for n-MOSFETs: Where is the Stress Memorized? uri icon Wissenschaftlicher Artikel

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Überblick

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AutorInnen

  • Flachowsky, Stefan
  • Illgen, Ralf
  • Herrmann, Thomas
  • Baldauf, Tim
  • Wei, Andy
  • Höntschel, Jan
  • Klix, Wilfried
  • Stenzel, Roland
  • Horstmann, Manfred

Autor/in (verknüpft)

  • Stenzel, Roland  Professor für Grundlagen der Theoretischen Elektrotechnik
  • Baldauf, Tim  Professor für Theoretische Elektrotechnik / Optoelektronik

Open-Access-Kennzeichnung

  • Closed Access

Peer Reviewed

  • Ja

Sprachen

  • englisch

Anderes

Kuratierungs-Zielkategorie (intern)

  • Ja