Influence of Ionization Modelling for Mg-doped GaN on Transfer and Breakdown Characteristics of Vertical GaN-MOSFET uri icon Konferenz-Paper

Peer Reviewed

Überblick

Freigegeben

  • Ja

Freigegeben

  • Ja

AutorInnen

  • Weigel, Martin
  • Stenzel, Roland
  • Klix, Wilfried
  • Hentschel, Rico
  • Wachowiak, Andre
  • Mikolajick, Thomas

Autor/in (verknüpft)

  • Stenzel, Roland  Professor für Grundlagen der Theoretischen Elektrotechnik

Open-Access-Kennzeichnung

  • Closed Access

Peer Reviewed

  • Ja

Sprachen

  • deutsch

Anderes

Autor/in (Veranstaltung)

  • Stenzel, Roland  Professor für Grundlagen der Theoretischen Elektrotechnik

Kuratierungs-Zielkategorie (intern)

  • Ja