A comprehensive physics-based power MOSFET model in VHDL-AMS for circuit simulations uri icon Tagungsband

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Veröffentlichungszeitpunkt

  • 2011

Autor/in (verknüpft)

  • Göhler, Lutz  Professor für Leistungselektronik/Regenerative Energien

Open-Access-Kennzeichnung

  • Closed Access

Peer Reviewed

  • Nein

Sprachen

  • englisch

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Forschung

Schlagwörter

  • Device modeling
  • Equations
  • Integrated circuit modeling
  • Logic gates
  • MOS device
  • MOSFET
  • Mathematical model
  • Power MOSFET
  • Power semiconductor device
  • numerical models
  • simulation

Identität

Internationale Standardbuchnummer (ISBN) 10

  • 1612841678

Alma MMS-ID

  • 9937097702581

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Kuratierungs-Zielkategorie (intern)

  • Ja